服务领域

CMP抛光材料介绍

CMP，即Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光。CMP技术所采用的设备及消耗品包括：抛光机、抛光浆料、抛光垫、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等。抛光机、抛光浆料和抛光垫是CMP工艺的3大关键要素，其性能和相互匹配决定CMP能达到的表面平整水平。其中抛光浆料和抛光垫为消耗品。其中抛光浆料的成分主要由三部分组成：腐蚀介质、成膜剂和助剂、纳米磨料粒子。抛光浆料要满足抛光速率快、抛光均一性好及抛后易清洗等要求。磨料粒子的硬度也不宜太高，以保证对膜层表面的机械损害比较轻。

抛光浆料配方分析

现代分析技术得到了快速发展，新的分析仪器和分离技术不断被开发和应用，比如气相色谱-质谱联用仪就可根据应用、进样系统和分析目的不同，有静／动态顶空气质联用仪、热脱附气质联用仪和裂解气质联用仪等。其它分析技术比如液质联用仪、核磁共振仪、凝胶渗透色谱仪、红外光谱仪、紫外一可见分光光度计、热分析仪、元素分析仪等也可以针对不同的样品、基体和分析目的进一步细分。然而各种仪器分析技术提供的结构、组成和含量等方面的信息不同，如凝胶渗透色谱主要提供高分子材料的相对分子质量及其分布，对其结构、组成无能为力；核磁共振能够提供未知物主要成分的结构信息，但对成分复杂的样品解谱难度很大。因此，使用一种分析技术难以获得全部的结构、组成和含量等方面的综合信息，往往需要多种现代分析技术的联用，相互印证不同分析技术所获得的实验结果。

抛光浆料的应用前景

目前，CMP技术已经发展成以化学机械抛光机为主体，集在线检测、终点检测、清洗等技术于一体的CMP技术，是集成电路向微细化、多层化、薄型化、平坦化工艺发展的产物。同时也是晶圆由200mm向300mm乃至更大直径过渡、提高生产率、降低制造成本、衬底全局平坦化所必需的工艺技术。以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带第三代半导体材料近年来发展十分迅速，氮化镓（GaN）基半导体材料具有发光效率高、良好的导热率、耐高温、抗辐射、高强度和高硬度等特性，可制成高效蓝、绿光发光二极管和激光二级管（又称激光器）。但氮化镓（GaN）材料本身不能生长出单晶，必须生长在与其结构相类似的衬底材料上。目前国际上公认的衬底材料为蓝宝石晶体。随着氮化镓（GaN）材料市场需求的增长，对蓝宝石的需求也会随之高速增长。