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半导体材料成分分析介绍

半导体材料成分分析的主要手段有：XPS、AES、SIMS、XRD、EDS、Raman等。XPS全称X射线光电子能谱分析(X-rayphotoelectron spectroscopy, XPS)是用X射线去辐射样品，使原子或分子的内层电子或价电子受激发射出来。被光子激发出来的电子称为光电子，可以测量光电子的能量，以光电子的动能为横坐标，相对强度(脉冲/s)为纵坐标可做出光电子能谱图，从而获得待测物组成。AES（俄歇电子能谱法）是用具有一定能量的电子束(或X射线)激发样品俄歇效应，通过检测俄歇电子的能量和强度，从而获得有关材料表面化学成分和结构的信息的方法。利用受激原子俄歇跃迁退激过程发射的俄歇电子对试样微区的表面成分进行的定性定量分析。SIMS全称二次离子质谱（secondary ion mass spectroscopy），是一种非常灵敏的表面成份精密分析仪器，它是通过高能量的一次离子束轰击样品表面，使样品表面的分析吸收能量而从表面发生溅射产生二次粒子,通过质量分析器收集、分析这些二次离子，就可以得到关于样品表面信息的图谱。EDS能谱仪(Energy Dispersive Spectrometer)是用来对材料微区成分元素种类与含量分析，配合扫描电子显微镜与透射电子显微镜的使用。拉曼光谱（Raman spectra），是一种散射光谱。拉曼光谱分析法是基于印度科学家C.V.拉曼（Raman）所发现的拉曼散射效应，对与入射光频率不同的散射光谱进行分析以得到分子振动、转动方面信息，并应用于分子结构研究的一种分析方法。

（俄歇电子能谱法）

（EDS能谱仪）