半导体材料微观结构分析介绍

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半导体材料分析的主要手段有：SEM、FIB、TEM、HRTEM、EBSD等。FIB（聚焦离子束，FocusedIon beam)是将离子源(大多数FIB都用Ga，也有设备具有He和Ne离子源)产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后作用于样品表面。作用：

1.产生二次电子信号取得电子像.此功能与SEM（扫描电子显微镜）相似

2.用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工。

3.通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应，有选择性的剥除金属,氧化硅层或沉积金属层。

EBSD全称电子背散射衍射(外文名Electron Backscattered Diffraction)，EBSD的主要特点是在保留扫描电子显微镜的常规特点的同时进行空间分辨率亚微米级的衍射（给出结晶学的数据）。

（FIB 聚焦离子束）